STW48N60DM2
Numer produktu producenta:

STW48N60DM2

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

STW48N60DM2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 600V 40A TO247
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 40A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247-3

Magazyn:

590 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12871412
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

STW48N60DM2 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
40A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
79mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3250 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
300W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247-3
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
STW48

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
497-16360-5
-497-16360-5
5060-STW48N60DM2
Pakiet Standard
30

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
nexperia

BUK964R8-60E,118

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

stmicroelectronics

STP21N65M5

MOSFET N-CH 650V 17A TO220AB

stmicroelectronics

STD95N2LH5

MOSFET N-CH 25V 80A DPAK

stmicroelectronics

STP90N6F6

MOSFET N-CH 60V 84A TO220