STU2N62K3
Numer produktu producenta:

STU2N62K3

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

STU2N62K3-DG

Opis:

MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 620 V 2.2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)

Magazyn:

3000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12945660
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

STU2N62K3 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
SuperMESH3™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
620 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.6Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
340 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-251 (IPAK)
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
STU2N62

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
497-12360
-497-12360
Pakiet Standard
75

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
stmicroelectronics

STL2N80K5

MOSFET N-CH 800V 2A POWERFLAT

stmicroelectronics

STW25N95K3

MOSFET N-CH 950V 22A TO247

stmicroelectronics

STD30NF06T4

MOSFET N-CH 60V 28A DPAK

stmicroelectronics

STP50NE10

MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB