Numer produktu producenta:
STS1NK60Z
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STS1NK60Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 250mA (Tc) 2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Magazyn:
2112 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12872990
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STS1NK60Z Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
SuperMESH™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
250mA (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
15Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
94 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOIC
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Podstawowy numer produktu
STS1NK60
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
STS1NK60Z-DG
497-12798-1
497-12798-2
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STL12N65M5
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
STW7N95K3
MOSFET N-CH 950V 7.2A TO247-3
2N7002E-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
