Numer produktu producenta:
STQ1NK80ZR-AP
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STQ1NK80ZR-AP-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 300MA TO92-3
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 300mA (Tc) 3W (Tc) Through Hole TO-92-3
Magazyn:
3891 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12876166
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STQ1NK80ZR-AP Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Box (TB)
Seria
SuperMESH™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
300mA (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
16Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7.7 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
160 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Pakiet / Walizka
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Podstawowy numer produktu
STQ1NK80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-6197-3
497-6197-1
STQ1NK80ZRAP
Pakiet Standard
2,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STS17NH3LL
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
STY30NK90Z
MOSFET N-CH 900V 26A MAX247
STW240N10F7
MOSFET N-CH 100V 180A TO247
