Numer produktu producenta:
STP8NK80Z
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP8NK80Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 800 V 6.2A (Tc) 140W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
1024 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12877384
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP8NK80Z Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
SuperMESH™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.2A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1320 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP8NK80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-15685-5
-497-15685-5
STP8NK80Z-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STL23NM50N
MOSFET N-CH 500V 2.8A PWRFLT 8X8
STP36NF06L
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
STD3NM60N
MOSFET N-CH 600V 3.3A DPAK
