Numer produktu producenta:
STP4NB100
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP4NB100-DG
Opis:
MOSFET N-CH 1000V 3.8A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 1000 V 3.8A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
12878891
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP4NB100 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
PowerMESH™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.4Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
125W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP4N
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-2647-5
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
RoHS non-compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRFBG30PBF
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
4495
NUMER CZĘŚCI
IRFBG30PBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.02
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
IXTP3N100P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
273
NUMER CZĘŚCI
IXTP3N100P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.08
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STH310N10F7-6
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
STH270N4F3-6
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
STS13N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
