Numer produktu producenta:
STP30NM30N
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP30NM30N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 300V 30A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 300 V 30A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
12873916
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP30NM30N Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
MDmesh™ II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
300 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
30A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
90mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
160W (Tc)
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP30N
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
STP30NM30N-DG
497-7521-5
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXTP36N30P
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
793
NUMER CZĘŚCI
IXTP36N30P-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.19
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STW34NM60ND
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
STU7N65M2
MOSFET N-CH 650V 5A IPAK
STF5N95K3
MOSFET N-CH 950V 4A TO220FP