Numer produktu producenta:
STP19NM50N
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP19NM50N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 500V 14A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 14A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
976 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12878012
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP19NM50N Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ II
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
14A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1000 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP19
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-10577-5
497-STP19NM50N
-497-10577-5
497-10577-5-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STP25NM50N
MOSFET N-CH 500V 22A TO220AB
STD1NK80Z-1
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
STDLED524
MOSFET N-CH 525V 4A DPAK
