Numer produktu producenta:
STP16NK65Z
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STP16NK65Z-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 13A TO220AB
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 13A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220
Magazyn:
12945890
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STP16NK65Z Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
SuperMESH™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
500mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
89 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2750 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
190W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP16N
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-4119-5-NDR
-497-4119-5
1805-STP16NK65Z
497-4119-5
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STD2NK70ZT4
MOSFET N-CH 700V 1.6A DPAK
STL190N4F7AG
MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
R8001CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 1A TO252