STP150N10F7
Numer produktu producenta:

STP150N10F7

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

STP150N10F7-DG

Opis:

MOSFET N-CH 100V 110A TO220
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220

Magazyn:

494 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12879490
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

STP150N10F7 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
110A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8115 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220
Pakiet / Walizka
TO-220-3
Podstawowy numer produktu
STP150

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
497-14570-5
STP150N10F7-DG
Pakiet Standard
50

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
stmicroelectronics

STP5NB40

MOSFET N-CH 400V 4.7A TO220AB

stmicroelectronics

STF8N90K5

MOSFET N-CH 900V 8A TO220FP

stmicroelectronics

STL80N3LLH6

MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT

stmicroelectronics

STD8NM60N-1

MOSFET N-CH 600V 7A IPAK