Numer produktu producenta:
STL9N60M2
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STL9N60M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 4.8A PWRFLAT56
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 4.8A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (5x6) HV
Magazyn:
760 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12878445
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STL9N60M2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ II Plus
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.8A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
860mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
320 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
48W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerFlat™ (5x6) HV
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
STL9
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-14970-2
497-14970-1
497-14970-6
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STB20NM50FDT4
MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
STW10N105K5
MOSFET N-CH 1050V 6A TO247
STF16NF25
MOSFET N-CH 250V 14A TO220FP
