STL26N65DM2
Numer produktu producenta:

STL26N65DM2

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

STL26N65DM2-DG

Opis:

MOSFET N-CH 650V 20A PWRFLAT HV
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 140W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV

Magazyn:

12872587
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

STL26N65DM2 Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
206mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35.5 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1480 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
140W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
PowerFlat™ (8x8) HV
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
STL26

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
stmicroelectronics

STF16N60M2

MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP

stmicroelectronics

STL45N10F7AG

MOSFET N-CH 100V 18A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP8NK85Z

MOSFET N-CH 850V 6.7A TO220AB

stmicroelectronics

STD45P4LLF6AG

MOSFET P-CH 40V 50A DPAK