Numer produktu producenta:
STI24NM65N
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STI24NM65N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 19A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 160W (Tc) Through Hole I2PAK
Magazyn:
12879474
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STI24NM65N Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
MDmesh™ II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
19A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
160W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
STI24N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPI65R190C6XKSA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
480
NUMER CZĘŚCI
IPI65R190C6XKSA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.52
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STW220NF75
MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
STD20NF06LAG
MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK
STB120N4F6
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
