Numer produktu producenta:
STI24N60M6
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STI24N60M6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 17A (Tj) 130W (Tc) Through Hole I2PAK
Magazyn:
90 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12870189
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STI24N60M6 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ M6
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
17A (Tj)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
960 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
130W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
STI24
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-1138-STI24N60M6
497-18248
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STD4N90K5
MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
STP24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A TO220
STD9N80K5
MOSFET N-CHANNEL 800V 7A DPAK