Numer produktu producenta:
STH80N10LF7-2AG
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STH80N10LF7-2AG-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Magazyn:
12946006
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STH80N10LF7-2AG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
STripFET™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
80A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
H2PAK-2
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
STH80
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RSJ650N10TL
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
970
NUMER CZĘŚCI
RSJ650N10TL-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.94
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
HUF75545S3ST
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6270
NUMER CZĘŚCI
HUF75545S3ST-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.50
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STB14NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
AUIRFS8405TRL
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
2SK536-TB-E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
