Numer produktu producenta:
STH30N65DM6-7AG
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STH30N65DM6-7AG-DG
Opis:
AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 28A (Tc) 223W (Tc) Surface Mount H2PAK-7
Magazyn:
235 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12993145
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STH30N65DM6-7AG Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
28A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
115mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2000 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
223W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
H2PAK-7
Pakiet / Walizka
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-STH30N65DM6-7AGCT
497-STH30N65DM6-7AGDKR
497-STH30N65DM6-7AGTR
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SIR578DP-T1-RE3
N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
SI8810-TP
Interface
2N7002-13P
Interface
