Numer produktu producenta:
STH185N10F3-6
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STH185N10F3-6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Magazyn:
12879305
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STH185N10F3-6 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
STripFET™ F3
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
180A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
114.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6665 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
315W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
H2PAK-6
Pakiet / Walizka
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Podstawowy numer produktu
STH185
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-15469-2
497-15469-1
-497-15469-1
-497-15469-2
-497-15469-6
497-15469-6
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IPB017N10N5LFATMA1
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
9941
NUMER CZĘŚCI
IPB017N10N5LFATMA1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
4.25
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PHK4NQ10T,518
MOSFET N-CH 100V 8SO
STF7N60DM2
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP
STP16N50M2
MOSFET N-CH 500V 13A TO220
