Numer produktu producenta:
STH110N10F7-6
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STH110N10F7-6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-6
Szczegółowy opis:
N-Channel 100 V 110A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount H2PAK-6
Magazyn:
12946455
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STH110N10F7-6 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
DeepGATE™, STripFET™ VII
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
110A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5117 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
H2PAK-6
Pakiet / Walizka
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Podstawowy numer produktu
STH110
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-497-13837-1
-497-13837-2
497-13837-6
497-13837-2
-497-13837-6
497-13837-1
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SUM70040M-GE3
PRODUCENT
Vishay Siliconix
ILOŚĆ DOSTĘPNA
799
NUMER CZĘŚCI
SUM70040M-GE3-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.29
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
AUIRL1404ZSTRL
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
FDZ451PZ
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
FDU6N25
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4