Numer produktu producenta:
STFI20NM65N
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STFI20NM65N-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 15A I2PAKFP
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 15A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-281 (I2PAKFP)
Magazyn:
1500 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12877299
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STFI20NM65N Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
15A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
270mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1280 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-281 (I2PAKFP)
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Podstawowy numer produktu
STFI20N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-497-14556-5
497-14556-5
STFI20NM65N-DG
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STI18N65M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
229
NUMER CZĘŚCI
STI18N65M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.05
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STP32NM50N
MOSFET N CH 500V 22A TO-220
STWA57N65M5
MOSFET N-CH 650V 42A TO247
STP9NK65ZFP
MOSFET N-CH 650V 6.4A TO220FP
