Numer produktu producenta:
STF11N60M2-EP
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STF11N60M2-EP-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Magazyn:
998 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12871760
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STF11N60M2-EP Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
MDmesh™ M2-EP
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
595mOhm @ 3.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
390 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220FP
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
STF11
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
STF11N60M2-EP-DG
497-STF11N60M2-EP
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCPF600N60Z
PRODUCENT
Fairchild Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
171833
NUMER CZĘŚCI
FCPF600N60Z-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.20
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PMF87EN,115
MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT323-3
STW48N60M2
N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 4
STP35N65M5
MOSFET N-CH 650V 27A TO220AB