Numer produktu producenta:
STD9N65M2
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STD9N65M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 5A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Magazyn:
685 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12872847
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STD9N65M2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
900mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
315 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
STD9
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-15051-6
497-15051-2
-497-15051-1
-497-15051-2
497-15051-1
-497-15051-6
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
FCD4N60TM
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
10613
NUMER CZĘŚCI
FCD4N60TM-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.61
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PSMN017-30LL,115
MOSFET N-CH 30V 15A 8DFN
STW25N80K5
MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247
STFH13N60M2
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP