Numer produktu producenta:
STD6NM60N-1
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STD6NM60N-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 4.6A IPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 4.6A (Tc) 45W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Magazyn:
12879054
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STD6NM60N-1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
MDmesh™ II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.6A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
920mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
420 pF @ 50 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-251 (IPAK)
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Podstawowy numer produktu
STD6N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
STU10N60M2
PRODUCENT
STMicroelectronics
ILOŚĆ DOSTĘPNA
59
NUMER CZĘŚCI
STU10N60M2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.24
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STL31N65M5
MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88
STD110N8F6
MOSFET N-CH 80V 80A DPAK
STD2NK60Z-1
MOSFET N-CH 600V 1.4A IPAK
