Numer produktu producenta:
STD5N65M6
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STD5N65M6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Magazyn:
12877155
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STD5N65M6 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ M6
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
0V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.3Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.1 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
170 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
45W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
STD5N65
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STI360N4F6
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
STP33N65M2
MOSFET N-CH 650V 24A TO220
STP190N55LF3
MOSFET N-CH 55V 120A TO220-3
