Numer produktu producenta:
STD18N60M6
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STD18N60M6-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 13A DPAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Magazyn:
1649 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12879008
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STD18N60M6 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ M6
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
13A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
650 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
110W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252 (DPAK)
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
STD18
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
STD18N60M6-DG
497-STD18N60M6DKR
497-STD18N60M6CT
497-STD18N60M6TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
R6014YND3TL1
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2476
NUMER CZĘŚCI
R6014YND3TL1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.21
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STF15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
STP12NK80Z
MOSFET N-CH 800V 10.5A TO220AB
STFI40N60M2
MOSFET N-CH 600V 34A I2PAKFP
