Numer produktu producenta:
STB9NK70Z-1
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STB9NK70Z-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 700V 7.5A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 700 V 7.5A (Tc) 115W (Tc) Through Hole I2PAK
Magazyn:
12875063
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STB9NK70Z-1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
SuperMESH™
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
700 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
1.2Ohm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1370 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
115W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
STB9N
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STU5N70M6-S
MOSFET N-CH 700V 3.5A IPAK
STP15N60M2-EP
MOSFET N-CH 600V 11A TO220
STP3NK90Z
MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
