STB45N50DM2AG
Numer produktu producenta:

STB45N50DM2AG

Product Overview

Producent:

STMicroelectronics

Numer części:

STB45N50DM2AG-DG

Opis:

MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 500 V 35A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Magazyn:

1000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12874205
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

STB45N50DM2AG Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
35A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
84mOhm @ 17.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2600 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
STB45

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
497-16134-6
497-16134-1
497-16134-2
Pakiet Standard
1,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
stmicroelectronics

STH400N4F6-2

MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2

stmicroelectronics

STB36NF06LT4

MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

stmicroelectronics

STI42N65M5

MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK

stmicroelectronics

STP18N60M2

MOSFET N-CH 600V 13A TO220