Numer produktu producenta:
STB28N65M2
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STB28N65M2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 20A (Tc) 170W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
12872378
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STB28N65M2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ M2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1440 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
170W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
STB28
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-15456-6
497-15456-2
497-15456-1
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IXFA22N65X2
PRODUCENT
IXYS
ILOŚĆ DOSTĘPNA
250
NUMER CZĘŚCI
IXFA22N65X2-DG
CENA JEDNOSTKOWA
2.56
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STD18NF03L
MOSFET N-CH 30V 17A DPAK
STB18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
STN1N20
MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
