Numer produktu producenta:
STB200NF04-1
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STB200NF04-1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 310W (Tc) Through Hole I2PAK
Magazyn:
12878410
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STB200NF04-1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
-
Seria
STripFET™ II
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
120A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
5100 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
310W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
I2PAK
Pakiet / Walizka
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Podstawowy numer produktu
STB200N
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-3512-5-NDR
497-3512-5
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
IRF1404LPBF
PRODUCENT
Infineon Technologies
ILOŚĆ DOSTĘPNA
6152
NUMER CZĘŚCI
IRF1404LPBF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
1.15
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STL60P4LLF6
MOSFET P-CH 40V 60A POWERFLAT
PSMN004-55W,127
MOSFET N-CH 55V 100A TO247-3
STP300NH02L
MOSFET N-CH 24V 120A TO220AB