Numer produktu producenta:
STB18N60DM2
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
STB18N60DM2-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 12A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Magazyn:
2125 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12878795
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
STB18N60DM2 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
MDmesh™ DM2
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
12A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
295mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
90W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263 (D2PAK)
Pakiet / Walizka
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Podstawowy numer produktu
STB18
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-16339-6
497-16339-1
497-16339-2
Pakiet Standard
1,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STU8N65M5
MOSFET N-CH 650V 7A IPAK
STD18NF25
MOSFET N-CH 250V 17A DPAK
STW21N150K5
MOSFET N-CH 1500V 14A TO247
