Numer produktu producenta:
SCTWA90N65G2V-4
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
SCTWA90N65G2V-4-DG
Opis:
TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247
Szczegółowy opis:
N-Channel 650 V 119A (Tc) 565W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Magazyn:
12948526
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SCTWA90N65G2V-4 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
119A (Tc)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 50A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
157 nC @ 18 V
Vgs (maks.)
+22V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3380 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
565W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
HiP247™ Long Leads
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
SCTWA90
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
497-SCTWA90N65G2V-4
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
MSC015SMA070B4
PRODUCENT
Microchip Technology
ILOŚĆ DOSTĘPNA
54
NUMER CZĘŚCI
MSC015SMA070B4-DG
CENA JEDNOSTKOWA
27.49
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SCTL35N65G2V
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
RX3G07CGNC16
MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
RV4E031RPHZGTCR1
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
