Numer produktu producenta:
SCTWA20N120
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
SCTWA20N120-DG
Opis:
IC POWER MOSFET 1200V HIP247
Szczegółowy opis:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Through Hole HiP247™ Long Leads
Magazyn:
526 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12879918
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SCTWA20N120 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
20A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
20V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
239mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA (Typ)
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (maks.)
+25V, -10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
650 pF @ 400 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
175W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 200°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
HiP247™ Long Leads
Pakiet / Walizka
TO-247-3
Podstawowy numer produktu
SCTWA20
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
-1138-SCTWA20N120
Pakiet Standard
30
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
STB14NK50ZT4
MOSFET N-CH 500V 14A D2PAK
STB11N52K3
MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
STD16N60M2
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
