Numer produktu producenta:
MJD122-1
Product Overview
Producent:
STMicroelectronics
Numer części:
MJD122-1-DG
Opis:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
Szczegółowy opis:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 8 A 20 W Through Hole TO-251 (IPAK)
Magazyn:
2794 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12876706
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
MJD122-1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Pojedyncze tranzystory bipolarnie
Producent
STMicroelectronics
Opakowanie
Bulk
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
NPN - Darlington
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
8 A
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
100 V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
10µA
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Moc - Max
20 W
Częstotliwość - Przejście
-
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet / Walizka
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-251 (IPAK)
Podstawowy numer produktu
MJD122
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
MJD122-1-DG
497-16183
Pakiet Standard
75
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
