Numer produktu producenta:
2N6660
Product Overview
Producent:
Solid State Inc.
Numer części:
2N6660-DG
Opis:
MOSFET N-CH 60V 1.1A TO39
Szczegółowy opis:
N-Channel 60 V 1.1A (Tc) 6.25W (Tc) Through Hole TO-39
Magazyn:
3575 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12974056
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
2N6660 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
Manufacturers
Opakowanie
Box
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
1.1A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Vgs (maks.)
±40V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
6.25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-39
Pakiet / Walizka
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
2383-2N6660
Pakiet Standard
10
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
Not Applicable
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.10.0080
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
PJF6NA90_T0_00001
900V N-CHANNEL MOSFET
NTMFS4C822NAT1G
TRENCH 6 30V NCH
NVBG015N065SC1
SIC MOS D2PAK-7L 650V
