Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
SP8K3TB1
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
SP8K3TB1-DG
Opis:
MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
12929140
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
SP8K3TB1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
-
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 N-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate, 4V Drive
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
7A (Ta)
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
24mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11.8nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
600pF @ 10V
Moc - Max
2W (Ta)
Temperatura
150°C
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pakiet urządzeń dostawcy
8-SOP
Podstawowy numer produktu
SP8K3
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
846-SP8K3TB1TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
SH8KA4TB1
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2415
NUMER CZĘŚCI
SH8KA4TB1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.39
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
SP8K32TB1
MOSFET 2N-CH 60V 4.5A 8SOP
SIZ340ADT-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 15.7A 8PWR33
AO4801
MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
AO4800BL
MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8SOIC