Numer produktu producenta:
RW1C026ZPT2CR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RW1C026ZPT2CR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Magazyn:
1845 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13525036
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RW1C026ZPT2CR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
70mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1250 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-WEMT
Pakiet / Walizka
6-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
RW1C026
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RW1C026ZPT2CRCT
RW1C026ZPT2CRTR
RW1C026ZPT2CRDKR
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RV5A040APTCR1
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
RV5A040APTCR1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.27
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
R6015ANJTL
MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
RTF025N03TL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TUMT3
RJU002N06T106
MOSFET N-CH 60V 200MA UMT3
