Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
Francja
Hiszpania
Turcja
Mołdawia
Litwa
Norwegia
Niemcy
Portugalia
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Rosyjski
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Serbia
Białoruś
Holandia
Szwecja
Czarnogóra
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Rumunia
Austria
Belgia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
DR Konga
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Angola
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Argentyna
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
RW1A030APT2CR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RW1A030APT2CR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 12V 3A 6WEMT
Szczegółowy opis:
P-Channel 12 V 3A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13525480
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RW1A030APT2CR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Seria
-
Status produktu
Obsolete
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
42mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
-8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2700 pF @ 6 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
700mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
6-WEMT
Pakiet / Walizka
6-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
RW1A030
Karta katalogowa i dokumenty
Przewodnik po numeracji części
P/N Explanation for Transistors
Karty katalogowe
RW1A030APT2CR
Packaging Info for Transistors
Product Catalog Transistors
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RW1A030APT2CRCT
RW1A030APT2CRTR
RW1A030APT2CR-ND
RW1A030APT2CRDKR
Pakiet Standard
8,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
RV5A040APTCR1
PRODUCENT
Rohm Semiconductor
ILOŚĆ DOSTĘPNA
0
NUMER CZĘŚCI
RV5A040APTCR1-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.27
Rodzaj zastąpienia
Similar
NUMER CZĘŚCI
SSM6J216FE,LF
PRODUCENT
Toshiba Semiconductor and Storage
ILOŚĆ DOSTĘPNA
800
NUMER CZĘŚCI
SSM6J216FE,LF-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.11
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RHP020N06T100
MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
RQ3E120ATTB
MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
RQ3E120BNTB
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
R5016FNX
MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM