Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
DR Konga
Argentyna
Turcja
Rumunia
Litwa
Norwegia
Austria
Angola
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Białoruś
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Czarnogóra
Rosyjski
Belgia
Szwecja
Serbia
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Mołdawia
Niemcy
Holandia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
Francja
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Portugalia
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Hiszpania
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
RUR040N02TL
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RUR040N02TL-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 4A TSMT3
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TSMT3
Magazyn:
12615 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13527191
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RUR040N02TL Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
680 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT3
Pakiet / Walizka
SC-96
Podstawowy numer produktu
RUR040
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
TSMT3MAu Inner Structure
Dokumenty dotyczące niezawodności
TSMT3 MOS Reliability Test
Karty katalogowe
RUR040N02TL
TSMT3 TL Taping Spec
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RUR040N02TLDKR
RUR040N02MGTL
RUR040N02TLTR
RUR040N02TLCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
R6020ENZ1C9
MOSFET N-CH 600V 20A TO247
RD3L150SNTL1
MOSFET N-CH 60V 15A TO252
RQ3E080BNTB
MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
RSS075P03FU6TB
MOSFET P-CH 30V 7.5A 8SOP