Numer produktu producenta:
RUL035N02FRATR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RUL035N02FRATR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 3.5A TUMT6
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 3.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT6
Magazyn:
256 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13526174
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RUL035N02FRATR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
3.5A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
43mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
460 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Ocena
Automotive
Kwalifikacja
AEC-Q101
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TUMT6
Pakiet / Walizka
6-SMD, Flat Leads
Podstawowy numer produktu
RUL035
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RUL035N02FRADKR
RUL035N02FRACT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
R6018JNXC7G
MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
RF4C050APTR
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
RRL025P03FRATR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
