Numer produktu producenta:
RT1C060UNTR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RT1C060UNTR-DG
Opis:
MOSFET N-CH 20V 6A 8TSST
Szczegółowy opis:
N-Channel 20 V 6A (Ta) 650mW (Ta) Surface Mount 8-TSST
Magazyn:
13525411
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
bEgr
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RT1C060UNTR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
1.5V, 4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
870 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
650mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-TSST
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Podstawowy numer produktu
RT1C060
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RT1C060UNDKR
RT1C060UNTRCT
RT1C060UNTRTR-ND
RT1C060UNTRTR
RT1C060UNTRCT-ND
RT1C060UNTRDKR
RT1C060UNTRDKR-ND
RT1C060UNCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RQ5A040ZPTL
MOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
RRQ020P03TCR
MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
RRH040P03TB1
MOSFET P-CH 30V 4A 8SOP
