RS6L090BGTB1

Numer produktu producenta:

RS6L090BGTB1

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Numer części:

RS6L090BGTB1-DG

Opis:

NCH 60V 90A, HSOP8, POWER MOSFET

Szczegółowy opis:

N-Channel 60 V 90A (Tc) 3W (Ta), 73W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Magazyn:

2206 Nowe oryginalne sztuki w magazynie

12990010

Poproś o wycenę

Ilość
Minimum 1

(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin

ZATWIERDŹ

RS6L090BGTB1 Specyfikacje techniczne

Kategoria

FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y

Producent

ROHM Semiconductor

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Seria

-

Status produktu

Active

Typ tranzystora FET

N-Channel

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

Napięcie dren-źródło (Vdss)

60 V

Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C

90A (Tc)

Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)

4.5V, 10V

Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs

4.7mOhm @ 90A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

28 nC @ 10 V

Vgs (maks.)

±20V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

1950 pF @ 30 V

Funkcja FET

-

Rozpraszanie mocy (maks.)

3W (Ta), 73W (Tc)

Temperatura

150°C (TJ)

Rodzaj montażu

Surface Mount

Pakiet urządzeń dostawcy

8-HSOP

Pakiet / Walizka

8-PowerTDFN

Karta katalogowa i dokumenty

Karty katalogowe

Karta danych HTML

RS6L090BGTB1-DG

Dodatkowe informacje

Inne nazwy

846-RS6L090BGTB1CT

846-RS6L090BGTB1DKR

846-RS6L090BGTB1TR

Pakiet Standard

2,500

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)

Sieć ECCN (Sieć Współpracy T

EAR99

HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T

8541.29.0095

Certyfikacja DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Produkty powiązane

rohm-semi

RS6P060BHTB1

NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE

rohm-semi

RD3L03BBGTL1

NCH 60V 50A, TO-252, POWER MOSFE

diodes

DMTH45M5LPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

diodes

DMTH45M5SPSW-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506