Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
DR Konga
Argentyna
Turcja
Rumunia
Litwa
Norwegia
Austria
Angola
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Białoruś
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Czarnogóra
Rosyjski
Belgia
Szwecja
Serbia
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Mołdawia
Niemcy
Holandia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
Francja
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Portugalia
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Hiszpania
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
RQ6C065BCTCR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RQ6C065BCTCR-DG
Opis:
MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6
Szczegółowy opis:
P-Channel 20 V 6.5A (Tc) 1.25W (Tc) Surface Mount TSMT6 (SC-95)
Magazyn:
Zapytanie ofertowe Online
13525366
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RQ6C065BCTCR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
P-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
21mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
22 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)
±8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1520 pF @ 10 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.25W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT6 (SC-95)
Pakiet / Walizka
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Podstawowy numer produktu
RQ6C065
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
RQ6C065BCTCR
TSMT6 TR Taping Spec
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RQ6C065BCTCRDKR
RQ6C065BCTCRCT
RQ6C065BCTCRTR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
PMN30XPAX
PRODUCENT
Nexperia USA Inc.
ILOŚĆ DOSTĘPNA
10315
NUMER CZĘŚCI
PMN30XPAX-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.09
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RW1C015UNT2R
MOSFET N-CH 20V 1.5A 6WEMT
RQ5H020TNTL
MOSFET N-CH 45V 2A TSMT3
RS1G180MNTB
MOSFET N-CH 40V 18A/80A 8HSOP
RUQ050N02TR
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6