Numer produktu producenta:
RQ3E160ADTB1
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RQ3E160ADTB1-DG
Opis:
NCH 30V 16A MIDDLE POWER MOSFET
Szczegółowy opis:
N-Channel 30 V 16A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Magazyn:
6000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
12975614
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RQ3E160ADTB1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
16A (Ta)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
4.5V, 10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2550 pF @ 15 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
8-HSMT (3.2x3)
Pakiet / Walizka
8-PowerVDFN
Podstawowy numer produktu
RQ3E160
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
846-RQ3E160ADTB1CT
846-RQ3E160ADTB1TR
846-RQ3E160ADTB1DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
MCB150N06KY-TP
N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
SI2312B-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
MCAC80P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
