Numer produktu producenta:
RD3T100CNTL1
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
RD3T100CNTL1-DG
Opis:
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Szczegółowy opis:
N-Channel 200 V 10A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-252
Magazyn:
5000 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13527105
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
RD3T100CNTL1 Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
10A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
10V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
182mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.25V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1400 pF @ 25 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-252
Pakiet / Walizka
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Podstawowy numer produktu
RD3T100
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
RD3T100CNTL1CT
RD3T100CNTL1DKR
RD3T100CNTL1TR
Pakiet Standard
2,500
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RDD022N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RAQ045P01MGTCR
1.5V DRIVE PCH MOSFET
RJK005N03FRAT146
MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3
