Numer produktu producenta:
R6025JNXC7G
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
R6025JNXC7G-DG
Opis:
MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Szczegółowy opis:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220FM
Magazyn:
1975 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13525952
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
R6025JNXC7G Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, Pojedyncze FET-y, MOSFET-y
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tube
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora FET
N-Channel
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
25A (Tc)
Napięcie napędu (maks. liczba wodów włączona, min. liczba wodów włączona)
15V
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
182mOhm @ 12.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
7V @ 4.5mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1900 pF @ 100 V
Funkcja FET
-
Rozpraszanie mocy (maks.)
85W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Through Hole
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220FM
Pakiet / Walizka
TO-220-3 Full Pack
Podstawowy numer produktu
R6025
Karta katalogowa i dokumenty
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Pakiet Standard
50
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
RDD020N60TL
MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
RQ3L090GNTB
MOSFET N-CH 60V 9A/30A 8HSMT
RRR040P03TL
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
