Numer produktu producenta:
QS8M12TCR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
QS8M12TCR-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 4A 1.5W Surface Mount TSMT8
Magazyn:
13526085
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
hTyv
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
QS8M12TCR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Not For New Designs
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
42mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.4nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
250pF @ 10V
Moc - Max
1.5W
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT8
Podstawowy numer produktu
QS8M12
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
QS8M12TCRDKR
QS8M12TCRTR
QS8M12TCRCT
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Alternatywne modele
NUMER CZĘŚCI
ECH8660-TL-H
PRODUCENT
onsemi
ILOŚĆ DOSTĘPNA
2300
NUMER CZĘŚCI
ECH8660-TL-H-DG
CENA JEDNOSTKOWA
0.20
Rodzaj zastąpienia
Similar
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
