Numer produktu producenta:
QS8J4TR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
QS8J4TR-DG
Opis:
MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8
Magazyn:
8078 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13526152
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
QS8J4TR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800pF @ 10V
Moc - Max
550mW
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT8
Podstawowy numer produktu
QS8J4
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Przewodnik po numeracji części
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
QS8J4CT
QS8J4DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
QH8M22TCR
MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8
US6M2GTR
MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6
QS8M13TCR
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8
