QS8J4TR
Numer produktu producenta:

QS8J4TR

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Numer części:

QS8J4TR-DG

Opis:

MOSFET 2P-CH 30V 4A TSMT8
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 4A 550mW Surface Mount TSMT8

Magazyn:

8078 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13526152
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

QS8J4TR Specyfikacje techniczne

Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
2 P-Channel (Dual)
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
13nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
800pF @ 10V
Moc - Max
550mW
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT8
Podstawowy numer produktu
QS8J4

Karta katalogowa i dokumenty

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
QS8J4CT
QS8J4DKR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
rohm-semi

QH8M22TCR

MOSFET N/P-CH 40V 4.5A/2A TSMT8

rohm-semi

US6M2GTR

MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TUMT6

rohm-semi

QS8M13TCR

MOSFET N/P-CH 30V 6A/5A TSMT8

rohm-semi

SP8K3FU6TB

MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOP