Numer produktu producenta:
QH8MA2TCR
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
QH8MA2TCR-DG
Opis:
MOSFET N/P-CH 30V 4.5A/3A TSMT8
Szczegółowy opis:
Mosfet Array 30V 4.5A, 3A 1.25W Surface Mount TSMT8
Magazyn:
1528 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13526190
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
RjH0
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
QH8MA2TCR Specyfikacje techniczne
Kategoria
FET-y, MOSFET-y, FET, układy MOSFET
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguracja
N and P-Channel
Funkcja FET
Logic Level Gate
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd - ciągły odpływ (id) @ 25°C
4.5A, 3A
Rds Wł. (maks.) @ Id, Vgs
35mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Opłata bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
8.4nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
365pF @ 10V
Moc - Max
1.25W
Temperatura
150°C (TJ)
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
TSMT8
Podstawowy numer produktu
QH8MA2
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
QH8MA2TCRTR
QH8MA2TCRCT
QH8MA2TCRDKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.29.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
