Numer produktu producenta:
IMH23T110
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
IMH23T110-DG
Opis:
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 20V 600mA 150MHz 300mW Surface Mount SMT6
Magazyn:
1809 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13525604
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IMH23T110 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
600mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
20V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
820 @ 50mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
150mV @ 2.5mA, 50mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
-
Częstotliwość - Przejście
150MHz
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
SMT6
Podstawowy numer produktu
IMH23
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IMH23T110CT
IMH23T110-ND
IMH23T110TR
IMH23T110DKR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
