IMD6AT108
Numer produktu producenta:

IMD6AT108

Product Overview

Producent:

Rohm Semiconductor

Numer części:

IMD6AT108-DG

Opis:

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6

Magazyn:

4861 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13080348
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ

IMD6AT108 Specyfikacje techniczne

Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Producent
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora
1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
SMT6
Podstawowy numer produktu
IMD6

Karta katalogowa i dokumenty

Dodatkowe informacje

Inne nazwy
IMD6AT108CT
846-IMD6AT108TR
IMD6AT108DKR
IMD6AT108TR
Pakiet Standard
3,000

Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
rohm-semi

EMB3T2R

TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6

rohm-semi

UMG2NTR

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5

rohm-semi

UMH1NTN

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6

rohm-semi

UMH4NTN

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6