Strona główna
Produkty
Producenci
O DiGi
Skontaktuj się z nami
Blogi i posty
Zapytanie ofertowe
Poland
Zaloguj się
Wybór języka
Bieżący język do wyboru:
Poland
Przełącz:
Angielski
Europa
Wielka Brytania
DR Konga
Argentyna
Turcja
Rumunia
Litwa
Norwegia
Austria
Angola
Słowacja
ltaly powiedział:
Finlandia
Białoruś
Bułgaria
Dania
Estonia
Polska
Ukraina
Słowenia
Czeski
Grecki
Chorwacja
Izrael
Czarnogóra
Rosyjski
Belgia
Szwecja
Serbia
Baskijski
Islandia
Bośnia
Węgierski
Mołdawia
Niemcy
Holandia
Irlandia
Azja / Pacyfik
Chiny
Wietnam
Indonezja
Tajlandia
Laos
Filipiński
Malezja
Korea
Japonia
Hongkong
Tajwan
Singapur
Pakistan
Arabia Saudyjska
Katar
Kuwejt
Kambodża
Myanmar
Afryka, Indie i Bliski Wschód
Zjednoczone Emiraty Arabskie
Tadżykistan
Madagaskar
Indie
Iran
Francja
Republika Południowej Afryki
Egipt
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Maroko
Tunezja
Ameryka Południowa / Oceania
Nowa Zelandia
Portugalia
Brazylia
Mozambik
Peru
Kolumbia
Chile
Wenezuela
Ekwador
Boliwia
Urugwaj
Hiszpania
Paragwaj
Australia
Ameryka Północna
Stany Zjednoczone
Haiti
Kanada
Kostaryka
Meksyk
O DiGi
O nas
O nas
Nasze certyfikaty
DiGi Wprowadzenie
Dlaczego DiGi
Polityka
Polityka Jakości
Warunki użytkowania
Zgodność z RoHS
Proces zwrotu
Zasoby
Kategorie Produktów
Producenci
Blogi i posty
Usługi
Gwarancja Jakości
Sposób płatności
Globalna przesyłka
Stawki wysyłki
Najczęściej Zadawane Pytania
Numer produktu producenta:
IMD6AT108
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
IMD6AT108-DG
Opis:
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Magazyn:
4861 Nowe oryginalne sztuki w magazynie
13080348
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
*
Firma
*
Nazwa kontaktu
*
Telefon
*
E-mail
Adres dostawy
Wiadomość
(
*
) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IMD6AT108 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Producent
Rohm Semiconductor
Seria
-
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Stan części
Active
Typ tranzystora
1 PNP Pre-Biased, 1 NPN
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 250µA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
500nA (ICBO)
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
SMT6
Podstawowy numer produktu
IMD6
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
SMT6 Inner Structure
Karty katalogowe
IMD6AT108
SMT6 T108 Taping Spec
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IMD6AT108CT
846-IMD6AT108TR
IMD6AT108DKR
IMD6AT108TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
EMB3T2R
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
UMG2NTR
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT5
UMH1NTN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6
UMH4NTN
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6