Numer produktu producenta:
IMB3AT110
Product Overview
Producent:
Rohm Semiconductor
Numer części:
IMB3AT110-DG
Opis:
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
Szczegółowy opis:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 300mW Surface Mount SMT6
Magazyn:
13525400
Poproś o wycenę
Ilość
Minimum 1
Minimum 1
(*) jest obowiązkowe
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
Skontaktujemy się z Tobą w ciągu 24 godzin
ZATWIERDŹ
IMB3AT110 Specyfikacje techniczne
Kategoria
Bipolarny (BJT), Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie zbuforowanych
Producent
ROHM Semiconductor
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Seria
-
Status produktu
Active
Typ tranzystora
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Prąd - Kolektor (ic) (maks.)
100mA
Napięcie - awaria kolektora-emitera (maks.)
50V
Rezystor - podstawa (R1)
4.7kOhms
Rezystor - podstawa emitera (R2)
-
Wzmocnienie prądu DC (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 5mA
Prąd - odcięcie kolektora (maks.)
-
Częstotliwość - Przejście
250MHz
Moc - Max
300mW
Rodzaj montażu
Surface Mount
Pakiet / Walizka
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
SMT6
Podstawowy numer produktu
IMB3
Karta katalogowa i dokumenty
Zasoby projektowe
Dokumenty dotyczące niezawodności
Karty katalogowe
Dodatkowe informacje
Inne nazwy
IMB3AT110-ND
846-IMB3AT110DKR
846-IMB3AT110CT
846-IMB3AT110TR
Pakiet Standard
3,000
Klasyfikacja środowiskowa i eksportowa
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Poziom wrażliwości na wilgoć (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
Sieć ECCN (Sieć Współpracy T
EAR99
HTSUS (Międzynarodowa Organizacja Współpracy T
8541.21.0095
Certyfikacja DIGI
Produkty powiązane
IMB10AT110
TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6
UMC2NTR
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT5
IMH11AT110
TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6